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2011年全球半导体产业大事件

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摘要:2011年全球半导体产业大事件
刚刚逝去的2011年,是风起云涌,充满变数、磨难和惊奇的一年。这一年里,突如其来的日本地震海啸、泰国洪水肆虐全球电子产业,诺基亚弃英特尔转而投入了微软的怀抱,谷歌斥巨资收购了摩托罗拉移动,乔布斯逝世让全世界黯然,索尼爱立信手机成为历史……在这轰轰烈烈的一年里,全球半导体业界有哪些事会对未来产业产生巨大影响,又有哪些事值得我们回顾?下面是本刊编辑部为您整理的2011年国际国内半导体产业大事件(排名不分先后)。

国际篇

日本地震海啸冲击全球半导体产业链

2011年3月日本发生的9.0级地震和海啸震动了日本全国以及整个世界。这次地震与海啸不仅重创了日本经济,同时也打击了全球半导体产业供应链。其中的重灾区日本东北部是许多半导体晶圆厂所在地,东芝、索尼、瑞萨电子、德州仪器、飞思卡尔半导体和富士通等重要半导体供应商都受到了不同程度的影响,导致被动元件、光学元件、逻辑处理器、关键半导体材料等供应紧张。这次大地震也引发了产业内的一片恐慌,许多上游渠道商趁机囤货提价,导致内存、数码相机等价格不断飙升,最终经过3个多月后市场才趋于稳定。

半导体巨头并购频繁

2011年,半导体产业内发生多起并购案,金额巨大,且涉及多个产业领导企业。先有手机芯片巨头高通以31亿美元收购了WLAN芯片厂商Athoros,后有德州仪器65亿美元收购了在电源管理和功率IC风光一时的国家半导体,接着又有博通以37亿美元收购NetLogic,另外还有村田并购MEMS传感器巨头VTI、苹果收购以色列闪存技术公司Anobit等等。为快速获得更强市场竞争力,巨头们纷纷走上并购整合之路,希望通过“组合拳”的威力奠定其无可撼动的优势,半导体产业愈发呈现出“强者愈强”的格局。

英特尔在22nm工艺中导入三维晶体管,摩尔定律有望掀开新篇章

三维晶体管技术实用化是2011年半导体工艺领域最主要的创新。英特尔公司在5月发布了世界上第一个三维晶体管“Tri-Gate”,该三维晶体管的构造与Fin FET相近,在通道两侧和上部三个方向设置了栅极电极,用于辅助电流控制。英特尔声称22nm 3D Tri-Gate能比32nm平面晶体管带来多达37%的性能提升,而且在同等性能下功耗减少一半。其实早在2002年英特尔就宣布了三维晶体管设计,但直至现在才真正成熟。这一突破的关键之处在于,英特尔可将其用于进行微处理器芯片的大批量生产,而不仅仅停留在试验阶段。看来摩尔定律也有望从此掀开新的篇章。

FPGA步入28nm时代,两巨头闯进MPU市场

FPGA市场在去年可谓风起云涌,先是两大巨头Altera与Xilinx几乎同时发布了采用最新一代28nm工艺的FPGA工程样片,标志着FPGA开始正式步入28nm时代,接着双方又不约而同的在FPGA中整合双核心ARM处理器,各自推出FPGA+ARM Cortex-A9嵌入式处理器产品,闯进通用MPU市场。Altera的做法是在其久负盛名的Cyclone V和Arria V系列下增加了SoC FPGA,而Xilinx则干脆创立一个新的产品系列Zynq。虽然产品略有不同,但都是直接针对传统的MPU市场,向通用DSP、MPU发起挑战。

NVIDIA推出Tegra 3,移动处理器迎来四核时代

随着NVIDIA推出全球首款四核处理器Tegra 3,移动处理器开始迎来激动人心的四核时代。Tegra 3项目代号Kal-El(超人),基于ARM构架移动平台SoC技术,采用台积电40nm工艺制造,单核最高可达1.4GHz,CPU性能最高可达Tegra 2的5倍,另外其内部集成了12核GeForce GPU,其性能是Tegra 2的3倍,并支持3D立体显示,同时四核处理器功耗也比双核的Tegra 2更低。此处理器号称“已达PC级别,赶超Core 2 Duo T7200”。而随着Tegra 3的推出,不久或许就会出现许许多多高性能四核甚至更多核的平板电脑和手机,让我们拭目以待吧。

博通、英特尔、CSR退出电视芯片市场

进入2011年以来,英特尔、博通、CSR相继退出了数字电视芯片市场,台湾地区两大数字电视芯片供应商晨星和联发科技市场地位进一步稳固。数字电视芯片市场竞争激烈,在中低端电视市场对便宜的电视芯片需求巨大,台湾供应商有绝对的成本优势;在高端电视市场,三星、东芝、索尼和松下等日韩大品牌又经常使用自己内部设计的芯片解决方案,如此导致欧美供应商腹背受敌,也只好识时务为俊杰,退出电视芯片市场。

TSMC开始建设450mm晶圆生产线,缩小与英特尔之间距离

台湾地区芯片代工厂商TSMC于2011年初宣布了高达100亿美元巨额资金的新项目,将建设全新的450mm晶圆生产线。按照其计划,该项目将会在2013年正式进入投产阶段,而到2015年将会在此基础上进行全新的20nm制造工艺研发进而很快进入量产。如果能够按照既定的计划完成该项目,那么它在芯片制造业的领先地位将超越三星和GlobalFoundires,而且与英特尔之间的差距将大幅度缩小,整个芯片制造业务的格局也将会发生一些微妙的变化。

高通、德州仪器等巨头放低身段,冲击低端市场

作为手机芯片业霸主的高通,面对局部市场竞争对手的高速增长,特别是中国芯片商超低的进入门槛和不可思议的低价格,显然也有些坐不住了。冲着低价智能手机市场,高通2011年推出面向大众智能手机的交钥匙方案QRD生态系统计划,以帮助终端公司以更低的成本和更短的时间开发出大众市场智能手机。这也意味着巨头放下身段,开始冲击低端市场。与此类似的是,德州仪器也敞开大门面对普通中小用户,该公司11月宣布推出批量售价仅5美元的基于ARM Cortex-A8的Sitara AM335x微处理器,约是国内IC厂商同类处理器的一半价格,并且他们还同时推出超低价89美元的易用型开源硬件平台与免费软件开发套件,令业界十分震惊。

三星启动20nm工艺存储芯片生产线,巩固领头地位

三星电子在2011年9月宣称启动一条全新的20nm工艺存储芯片生产线,并称新的生产线是全球规模最大、最先进的存储芯片生产设施,虽然这种工艺会将生产成本提升50%左右,但却可以在一个芯片中整合更多的电路,因此可以降低芯片面积和价格,并提升芯片的性能和能效。有业者认为该生产线的启动有可能加剧半导体市场供应过剩的局面,并打击规模较小的竞争对手。不过三星在闪存市场向来都是野心勃勃,巩固自己老大的地位才最重要。

英特尔四大部门合并组建为新移动通信部门,向移动互联市场发力

芯片制造商英特尔2011年进行了重要的架构调整,将移动通信、上网本/平板电脑、移动无线以及超移动业务部门合并组建新的移动通信部门,目的是加强该公司在智能手机和平板电脑市场的实力,转变未来发展战略。目前英特尔处理器在全球PC市场份额约为80%,但在快速增长的智能手机和平板电脑市场还能没有所作为,现终于准备在移动互联市场上发力,对竞争对手开始进行火力强劲的反扑。

国内篇

新18号文加大集成电路行业支持力度,助集成电路进入并购重组时代

2月,国务院发布了被业界称为“新18号文”的《进一步鼓励软件产业和集成电路产业的若干政策》(国发(2011)4号)。该文件进一步明确了集成电路产业的重要地位,在延续原18号文优惠政策的同时,确定了包括税收、投融资、研发、进出口、人才、知识产权、市场等7个方面的政策措施,尤其加大了对集成电路产业的支持力度。专家认为,新“18号文”亮点之一是引导企业并购重组,迅速培养具有国际竞争力的大企业。在十二五规划的第一年,新政策的实施无疑将为中国集成电路产业下一个十年的发展打造更为宽松的产业环境。

中国首款自主知识产权相变存储器芯片研制成功,打破相变存储器芯片国外垄断局面

4月17日,中国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片在中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制成功,产业化前景可观。据介绍,相比于传统存储器利用电荷形式进行存储,相变存储器主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储,被称为是“操纵原子排列而实现存储”的新型存储器。目前,英特尔、美光、三星等国际知名半导体公司均在PCRAM产业化进程中取得有效进展,其中美光有多款替代NOR Flash的产品,三星已研制出最大容量为512Mb的PCRAM试验芯片,并投入量产。

中芯国际注资10亿美元,结束武汉新芯托管历史

5月12日,中芯国际集成电路制造有限公司与湖北省科技投资集团公司在汉签订合资合同,两年内中芯国际注资10亿美元,与后者一起经营武汉新芯12英寸晶片生产线项目。至此,武汉新芯告别5年托管历史,正式成为拥有“双亲”的华中地区唯一大规模集成电路芯片生产企业。2006年,湖北省、武汉市、东湖高新区三级政府出资,成立武汉新芯,建设中部地区首个12英寸集成电路晶片生产线,委托中芯国际经营管理。2008年9月,武汉新芯一期建成投产,总投资100亿元,至今未盈利。国家工信部规划司司长肖华认为,合资经营武汉新芯对于全国集成电路产业来说都是一件大事,武汉有望成为国内高端芯片生产基地。

国内最大规模IGBT产业基地开建,年产芯片12万片

5月25日,中国南车大功率IGBT产业化基地奠基,标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。中国南车也成为国内唯一掌握IGBT芯片设计、芯片制造、模块封装、系统应用完整产业链的企业,填补了国内相关技术领域的空白。该建设项目总投资14亿元,预计2013年正式投产。建成后,该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力,年产值超过25亿元。产品满足轨道交通以及电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网、高压变频、工业传动等多个行业需求,成为我国首个完全依靠自主能力建设、设计规模最大、技术实力最强、产品型谱最全的大功率IGBT产业化基地,改变核心技术受制于人、产品依赖进口的不利局面,为建设资源节约型和环境友好型社会,促进国民经济快速健康发展做出重要贡献。

北京君正于创业板上市,年底发布全球首款Android 4.0平板电脑

5月31日,北京君正成功登陆创业版,成为本土又一家上市的IC设计企业。北京君正是掌握自主嵌入式CPU技术并成功市场化的极少数本土企业之一,该公司基于自主创新的XBurst CPU核心技术,面向便携消费电子、教育电子等领域推出了一系列具有高性价比的32位嵌入式CPU芯片产品,并且为了支持CPU芯片产品的应用和推广,同时提供运行于这些芯片之上的操作系统软件平台。12月,该公司与MIPS宣布共同推出全球首款Android 4.0(代号“冰淇淋三明治”)平板电脑,零售价格低于100美元,在便携式消费产品ARM架构一家独大的环境下,该平板电脑的推出在业界引起极大反响。

华芯建成国内首条存储器集成电路封测生产线

12月16日,我国首条高端存储器集成电路封装测试生产线在济南上线投产,华芯半导体有限公司成为国内唯一同时具备集成电路设计、研发和封测制造能力的企业。该生产线采用世界先进水平的细间距球栅阵列(FBGA)封装工艺,是华芯继并购奇梦达中国研发中心后,对奇梦达资产二次并购的基础上建设而成。借助这次并购,华芯获得了世界先进水平的高端集成电路封装制造能力,初步建立起包括芯片设计、芯片制造和芯片应用在内的完整存储器集成电路产业链,将改变我国大容量存储器芯片长期依赖国外的局面,满足国内日益扩大的市场需求,同时也为华芯自身在存储器集成电路产业的持续发展提供了强有力的支撑。

该生产线采用的世界先进水平的FBGA封装工艺是目前全球领先的集成电路封装测试技术之一,投产后的生产线年产能达6,000万颗高端存储器芯片,年产值将超过1亿美元。未来五年,华芯将在济南出口加工区加快建设专业化的集成电路产业园区,规划总投资30亿元,建成世界先进水平的集成电路研发中心和规模化芯片生产基地,将有力增强中国在存储器产业链自主可控能力,逐步建立起完整的集成电路产业链。

本土芯片厂商在TD领域不断发力,推出多款创新方案

2011年本土芯片设计企业在TD领域取得快速发展。1月,展讯发布全球首款40nm低功耗商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G,它的问世将大大降低TD-SCDMA终端价格,能与2.5G产品的价格相媲美,为灵活多样的3G业务的承载提供更坚实的平台,SC8800G将对智能城市、物联网、移动互联网、“三网合一”等领域的技术和产业发展起到积极的推动作用。4月,联芯科技推出业界最小TD基带芯片,包括一款TD无线modem芯片LC1711和一款低成本TD手机芯片LC1710,这两款芯片均采用55nm工艺,芯片封装尺寸为10mm×10mm,降低了终端成本。5月,该公司再接再厉推出首款TD-SCDMA/TD-LTE双模基带芯片,该款芯片最高可实现100Mbps的下载速率和50Mbps的上传速率,将为TD-LTE终端发展的总体进程提速,也吹响了TD-SCDMA产业向TD-LTE平滑演进的号角。

2011中国大陆集成电路设计业逆风高飞,产业规模居全球第三

中国电子工业科学技术交流中心(工业和信息化部软件与集成电路促进中心)12月发布的《2011中国集成电路设计业发展报告》显示,2011年中国大陆地区集成电路设计业全行业销售额预计达到686.81亿元人民币,比上一年增长25.08%,产业规模仅次于美国及中国台湾地区,位居全球第三位。另据中国半导体行业协会集成电路设计分会统计,中国大陆目前拥有IC设计能力的企业与机构共534家。我国集成电路产业正面临着重大的发展机遇。

本土芯片产业进入新一轮并购整合时代

产业整合并购是半导体厂商应对市场发展的一大举措,2011年中国也出现了多起企业并购事件。6月,展讯宣布对WCDMA解决方案供应商MobilePeak的控股并购,未来将凭借WCDMA/HSPA+技术进军全球3G和LTE 4G市场;7月,展讯再次出手,宣布收购手机电视芯片厂商泰景;8月,晶门科技900万美元认购北京希图视鼎24%权益;同月,上海澜起完成对摩托罗拉杭州芯片设计部的收购,获得其数字电视机顶盒领域多项核心技术等;9月,晶圆制造商华虹与宏力签署了合并协议,合并之后,中国将诞生8英寸晶圆月产能达到约14万片的代工企业,预计年销售将达到约6亿美元,年利润达到约1亿美元;12月,浪潮集团以1亿元换来了奇梦达价值5亿元的高端(FBGA)集成电路存储器封装测试生产线,这是浪潮继2009年收购奇梦达研发中心后又一次“抄底”式收购;同月,昂宝透过子公司台湾昂宝以每股台币11.43元投资微控制器厂商新茂国际科技55%股权,总计将持有新茂国际79.2%股权。

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